Cette étape à pour but de charger électriquement les zones d'epi-couche de silicium mises à nu par la phase d’excavation. Ce procédé est également connu sous le nom de "dopage", les molécules de dopant sont implantées verticalement dans la surface du silicium par un faisceau d'ions de haute intensité. Les ions pénètrent le silicium verticalement et ce, détail très important, sans aucune diffusion latérale.

Ces régions sont maintenant chargées en ions, créant ainsi l’émetteur et le collecteur du transistor dans l’epi-couche de silicium.

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PHASE 8

LE DEPOT

Cette étape a pour but de créer la porte du transistor. Cette porte est une couche conductrice déposée dans les zones excavées d’oxyde silicium.

Le transistor tel qu'il est dans un wafer.

Cette couche conductrice faite de polysilicium est séparée de la base du wafer par une fine couche de nitrure de silicium toutes deux déposées par Chemical Vapor Deposition (déposition chimique en phase vapeur), c'est-à-dire que la matière est pulvérisée sous forme gazeuse aux alentours de 1000ºC. Cette dernière couche se veut fine afin de pouvoir laisser passer le champ magnétique créé par une impulsion sur la porte du transistor. Ce champ créera un canal conducteur entre l’émetteur et le collecteur laissant ainsi le courant passer. Le transistor est maintenant opérationnel.

Transistor ouvert (le courant ne passe pas)

Transistor fermé (le courant passe)

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