Afin d’isoler les transistors des autres transistors adjacents, il faut développer l’oxyde de silicium restant de l’excavation, l’épaisseur de la couche d’oxyde augmente évidement. Une couche d’oxyde diélectrique d’isolation est ensuite déposée afin d’isoler les différentes couches de connections et d’établir par la suite les interconnections de ces couches. Des oxydes de passivation seront déposés à la fin du processus de création du wafer afin de le protéger des manipulations ultérieures.

Notez l'augmentation de la couche d'Oxyde (de silicum)
L'Oxyde #2 est un isolant diélectrique

PHASE 10

LES INTERCONNECTIONS AU SEIN DE LA MEME COUCHE

Cette étape permet de créer les bornes des transistors qui seront reliés aux autres transistors de la même couche. La couche d’oxyde diélectrique est "taillée" de la même façon que l’oxyde de silicium initiale, au travers des phases précédentes mais avec des masques différents, afin de laisser des zones creuses où l’on déposera un élément conducteur. Ces zones creuses sont appelées : vias.

L’élément conducteur dont il est question est l’aluminium. Une couche d’aluminium est donc déposée sur la couche d’oxyde diélectrique et évidement dans les vias. Il suffira ensuite de vernir l’aluminium puis de réutiliser le processus de photolithographie afin de supprimer les zones où l’aluminium n’est pas requis. Une couche d’oxyde est ensuite déposée pour isoler cette couche de composant des couches suivantes.

L'oxyde d'isolation #2 est de nouveau excavé puis photolithographié

L'étape de depot d'aluminium qui constitue les bornes du transistor est appellée : metalization

Le résultat au microscope...